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MARCA :SYSCOM

Transistor de Potencia MOSFET para 175 / 530 MHz, 70 Watt, 12.5 Vcc.

Transistor de Potencia MOSFET para 175 / 530 MHz, 70 Watt, 12.5 Vcc.

MODELO:

RD70HUP2

$ 1,528.82 MXN
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Características Principales

  • Transistor MOSFET de potencia para aplicaciones VHF/UHF
  • Diseñado para frecuencias de 175 MHz y 530 MHz
  • Potencia de salida: 75W (530 MHz) y 84W (175 MHz)
  • Eficiencia de drenador: 64% (530 MHz) y 74% (175 MHz)
  • Tensión de alimentación: 12.5V
  • Corriente de drenador: 20A máximo
  • Diodo integrado de protección de puerta
  • Paquete moldeado para mayor robustez
  • Suministrado en cinta y carrete (500 unidades por carrete)
  • Cumple con estándares RoHS

Especificaciones Técnicas

  • Tensión drenador-fuente: 40V (máx)
  • Tensión puerta-fuente: -5/+10V (máx)
  • Corriente de drenador: 20A (máx)
  • Disipación de potencia: 425W (teórico en disipador infinito)
  • Temperatura de operación: -40°C a +175°C
  • Resistencia térmica: 0.17°C/W (mínimo)
  • Impedancia de entrada: 50Ω
  • Capacitancia de entrada: 300pF (típico a 1MHz)
  • Capacitancia de salida: 150pF (típico a 1MHz)
  • Capacitancia de retroalimentación: 50pF (típico a 1MHz)

Aplicaciones

  • Etapa de salida de amplificadores de alta potencia
  • Sistemas de comunicación móvil en bandas VHF/UHF
  • Equipos de radio base y móviles
  • Sistemas de comunicaciones de emergencia
  • Equipos de comunicación industrial
  • Sistemas de radiodifusión
  • Equipos de prueba y medición RF
Características RF
  • Frecuencia: 175MHz / 530MHz
  • Potencia de entrada: 4-5W
  • Potencia de salida: 70-84W
  • Impedancia: 50Ω
  • Relación de onda estacionaria (VSWR): 65:1 (máx)
Características Eléctricas
  • Tensión de umbral: 1.6V - 2.4V
  • Corriente de fuga: 150μA (máx)
  • Corriente de puerta: 2.5μA (máx)
  • Transconductancia: 200mS (mín)
  • Capacitancia de entrada: 300pF (típico)
Condiciones de Operación
  • Tensión de operación: 12.5V
  • Corriente de polarización: 1.0A
  • Temperatura de operación: -40°C a +175°C
  • Impedancia de carga: 50Ω
  • Modulación: TETRA, π/4DQPSK
Características de RF
  • Ancho de banda: 135-530MHz
  • Respuesta de frecuencia: 175MHz y 530MHz optimizados
  • Estabilidad: Diseño robusto con diodo de protección
  • Linealidad: Excelente para señales moduladas
  • Distorsión: Mínima en todo el rango de operación
Condiciones de Prueba
  • Frecuencia de prueba: 135MHz a 530MHz
  • Tensión de prueba: 12.5V
  • Corriente de prueba: 1.0A
  • Impedancia de prueba: 50Ω
  • Temperatura de prueba: 25°C
Características Térmicas
  • Resistencia térmica: 0.17°C/W (mín)
  • Temperatura de almacenamiento: -40°C a +175°C
  • Disipación: 425W (en disipador infinito)
Características de Paquete
  • Tipo de paquete: Paquete moldeado
  • Conexiones: Drenador, fuente, puerta
  • Montaje: Montaje en superficie
  • Material: Silicio
  • Estilo: Discreto
Condiciones de Garantía
  • RoHS: Cumple con directivas RoHS
  • Pruebas: 22 piezas por lote
  • Garantía: 1 año
  • Almacenamiento: -40°C a +175°C
  • Condiciones: Tc=25°C a menos que se indique
Condiciones de Prueba RF
  • Impedancia: 50Ω
  • Frecuencia: 175MHz y 530MHz
  • Tensión: 12.5V
  • Corriente: 1.0A
  • Temperatura: 25°C
Condiciones de Estrés
  • VSWR: 65:1 (todas las fases)
  • Tensión: 16.3V (máx)
  • Temperatura: 25°C (prueba)
  • Impedancia: 50Ω
  • Corriente: 2x500mA
Características de Linealidad
  • Distorsión: Mínima
  • Intermodulación: -30dBc (máx)
  • ACLR: -45dBc (mín)
  • IMD3: -40dBc (máx)
  • IMD5: -50dBc (máx)
Condiciones de Prueba de Linealidad
  • Modulación: TETRA, π/4DQPSK
  • Filtro: Nyquist raíz (α=0.35)
  • Tasa de símbolos: 18ksps
  • Ancho de banda: 18kHz
  • Canal: 25kHz
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