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MARCA :SYSCOM PARTS

Transistor de Potencia MOSFET para 175 / 530 MHz, 70 Watt.

Transistor de Potencia MOSFET para 175 / 530 MHz, 70 Watt.

MODELO:

RD70HUF2

$ 1,382.66 MXN
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Características principales

  • Potencia de salida de hasta 84W típicamente
  • Eficiencia del drenaje del 74% a 175 MHz
  • Empaque en cinta y carrete: 500 unidades por carrete
  • Diodo integrado de protección para la puerta
  • Diseñado para amplificadores VHF/UHF de alta potencia

Especificaciones eléctricas

  • Tensión drenaje-fuente: 40V (máx.)
  • Tensión puerta-fuente: -5/+10V
  • Disipación del canal: 300W
  • Corriente de drenaje: 20A (máx.)
  • Temperatura de canal: 175°C
  • Resistencia térmica: 0.5°C/W

Desempeño RF

  • Potencia de salida: 84W típico a 175MHz
  • Eficiencia: 74% típico a 175MHz
  • Potencia de entrada: 4.0W a 175MHz
  • Potencia de salida: 75W típico a 530MHz
  • Eficiencia: 64% típico a 530MHz
  • Potencia de entrada: 5.5W a 530MHz
Frecuencia de operación
  • Rango VHF: 135-175 MHz
  • Rango UHF: 450-530 MHz
  • Frecuencias típicas: 135, 155, 175, 450, 490, 530 MHz
Condiciones de prueba
  • Tensión de prueba: 12.5V
  • Corriente de polarización: 1.0A total / 0.5A por lado
  • Impedancia: 50Ω
  • Tasa de VSWR: 20:1
Compatibilidad
  • Cumple con RoHS
  • Plomo en soldaduras de alta temperatura (más del 85%)
  • Excepción aplicable: Soldaduras de alta temperatura
Aplicaciones
  • Etapa de salida de amplificadores de alta potencia
  • Sistemas de radio móvil VHF/UHF
  • Equipos de comunicación de banda ancha
Condiciones ambientales
  • Temperatura de operación: -40°C a 175°C
  • Temperatura de almacenamiento: -40°C a 175°C
  • Temperatura de prueba: 25°C (a menos que se indique)
Características eléctricas típicas
  • Corriente de drenaje sin tensión de puerta: 150μA
  • Corriente de fuga puerta-fuente: 2.5μA
  • Tensión umbral de puerta: 1.6V (mín.) - 2.4V (máx.)
Configuración del circuito
  • Paquete de moldeado
  • Conexión de múltiples electrodos
  • Diseño para evaluación VHF (135-175MHz)
Composición del paquete
  • Material: Silicio
  • Encapsulado: Paquete de molde
  • Configuración de pines
  • Cumple con estándares RoHS
Configuración de pines
  • 1. Fuente (común)
  • 2. Drenaje
  • 3. Drenaje
  • 4. Fuente (común)
  • 5. Fuente (común)
  • 6. Puerta
  • 7. Puerta
  • 8. Fuente (común)
  • 9. Fuente (común)
Características de diseño
  • Diseño para alta eficiencia
  • Optimizado para VHF/UHF
  • Conexión de múltiples electrodos
  • Construcción de bajo ESR

Evaluación y prueba

  • Evaluación en placa de prueba VHF
  • Impedancia característica: 50Ω
  • Material del sustrato: Epoxi de vidrio
  • Const. dieléctrica: 4.8 @1GHz
  • Tangente de pérdida: 0.018 @1GHz
  • Documentación: AN-VHF-049

Componentes asociados

  • Capacitores cerámicos de alta Q
  • Bobinas de precisión
  • Resistencias de chip SMD
  • Capacitores electrolíticos de 220μF
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