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MARCA :SYSCOM

Dos Diodos de Switcheo de Silicio, Eléctricamente Independientes, de 35 Volt, 100 mA, SMD TO-253-4

Dos Diodos de Switcheo de Silicio, Eléctricamente Independientes, de 35 Volt, 100 mA, SMD TO-253-4

MODELO:

MA4X86200LCT-ND

$ 12.11 MXN
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Características Principales

  • Dos elementos eléctricamente independientes incorporados
  • Capacitancia pequeña en diodos
  • Baja resistencia dinámica hacia adelante
  • Óptimos para un cambio de banda del sintonizador

Especificaciones Eléctricas

  • Voltaje inverso: 35 V
  • Corriente directa: 100 mA (individual), 75 mA (doble)
  • Temperatura operación: -25 a +85 °C
  • Temperatura almacenamiento: -55 a +100 °C

Especificaciones Eléctricas Detalladas

  • Voltaje directo: 1.0 V (a 100 mA)
  • Corriente inversa: 100 nA (a 33 V)
  • Capacitancia diodo: 1.2 pF (a 6 V, 1 MHz)
  • Resistencia dinámica directa: 0.65 Ω (a 2 mA, 100 MHz)
  • Resistencia dinámica directa: 0.98 Ω (a 2 mA, medición alternativa)

Características Físicas

  • Paquete: Mini4-G1 (TO-253-4)
  • Marca: SYSCOM
  • Modelo: MA4X86200LCTND
  • Conformidad: RoHS Directive (EU 2002/95/EC)
Aplicaciones Típicas
  • Sintonizadores de banda
  • Circuitos de conmutación de RF
  • Equipos de comunicación
  • Instrumentos de medición
Condiciones Máximas
  • Temperatura ambiente: -25 a +85 °C
  • Temperatura almacenamiento: -55 a +100 °C
  • Voltaje de operación: Hasta 35 V
  • Corriente de operación: Hasta 100 mA
Precauciones de Uso
  • Cumplir con las normas de seguridad eléctrica
  • Evitar sobrepasar los límites máximos de voltaje y corriente
  • Considerar diseño redundante en aplicaciones críticas
  • Proteger contra descargas electrostáticas (ESD)

Descripción Técnica

Diodos de conmutación de silicio epitáxico planar tipo MA4X862 (MA862), diseñados específicamente para aplicaciones de cambio de banda en sintonizadores. El paquete Mini4-G1 (TO-253-4) contiene dos elementos eléctricamente independientes, permitiendo configuraciones duales en un solo componente. Con una capacitancia diodo de 1.2 pF a 6V y baja resistencia dinámica hacia adelante (0.65 Ω a 2 mA, 100 MHz), estos diodos ofrecen un rendimiento estable en aplicaciones de RF.

La construcción de silicio epitáxico planar proporciona una alta confiabilidad y estabilidad térmica, con una temperatura operativa de -25 a +85 °C. La baja capacitancia y resistencia dinámica permiten una conmutación rápida y eficiente, ideal para circuitos de selección de banda en equipos de comunicación y medición.

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