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MARCA :TPL COMMUNICATIONS

Transistor Dual Q1 (MRF-1550NFT1) para Amplificador TPL PA31AC.

Transistor Dual Q1 (MRF-1550NFT1) para Amplificador TPL PA31AC.

MODELO:

B2-189

$ 2,464.58 MXN
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Características Principales

  • Transistor dual Q1 (MRF-1550NFT1)
  • Para amplificador TPL PA31AC
  • MOSFET de canal N, modo de enriquecimiento lateral
  • Diseñado para aplicaciones de banda ancha hasta 175 MHz
  • Alta ganancia y estabilidad térmica
  • Paquete plástico capaz de 200°C
  • Terminales libres de plomo, cumplen con RoHS

Especificaciones RF

  • Frecuencia máxima: 175 MHz
  • Potencia de salida: 50 W
  • Tensión de alimentación: 12.5 V
  • Ganancia de potencia: 14.5 dB
  • Eficiencia: 55%
  • Impedancia de entrada: 4.1 + j0.5 Ω @ 135 MHz
  • Impedancia de salida: 1.0 + j0.6 Ω @ 135 MHz

Especificaciones Eléctricas

  • Tensión drenaje-fuente: -0.5 a +40 Vdc
  • Tensión compuerta-fuente: ±20 Vdc
  • Corriente de drenaje: 12 Adc
  • Disipación total: 165 W @ 25°C
  • Resistencia térmica: 0.75°C/W
  • Temperatura de unión: 200°C
  • Temperatura de almacenamiento: -65 a +150°C
Características de RF
  • Capacitancia de entrada (Ciss): 500 pF
  • Capacitancia de salida (Coss): 250 pF
  • Capacitancia de transferencia (Crss): 35 pF
  • Impedancia de entrada: 4.1 + j0.5 Ω
  • Impedancia de salida: 1.0 + j0.6 Ω
Características de Polarización
  • Voltaje umbral (VGS(th)): 1 a 3 Vdc
  • Resistencia drenaje-fuente (RDS(on)): 0.5 Ω
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS(on)): 1 Vdc
  • Corriente de polarización (IDQ): 500 mA
  • Tensión de polarización: 12.5 Vdc
Características Térmicas
  • Resistencia térmica (RθJC): 0.75°C/W
  • Disipación total: 165 W @ 25°C
  • Derating: 0.50 W/°C sobre 25°C
  • Temperatura de unión: 200°C
  • Temperatura de almacenamiento: -65 a +150°C
Características de Aplicación
  • Impedancia de entrada: 10 Ω
  • Frecuencia: 175 MHz
  • Red de coincidencia: Paralelo resistor y capacitor en la compuerta
  • Temperatura de operación: 25°C
  • Corriente de polarización: 500 mA

Aplicaciones

  • Amplificadores de potencia RF
  • Equipos móviles de 12.5 V
  • Sistemas de comunicación comercial e industrial
  • Sistemas de FM móviles
  • Diseños de banda ancha (135-175 MHz)
  • Sistemas de comunicación de alta confiabilidad

Características de Diseño

  • Paquete de montaje superficial
  • Diseñado para montaje automático
  • Red de coincidencia de entrada/salida
  • Capacitancia de entrada incluida
  • Redes de polarización simples
  • Compatibilidad con técnicas de montaje SMT

Información de Manejo

  • Sensibilidad a descargas electrostáticas
  • Requiere precauciones en manejo y empaque
  • Nivel de sensibilidad húmedad: Clase 3
  • Temperatura máxima de pico de reflujo: 260°C
  • Compatibilidad con proceso de reflujo
  • Requiere disipación térmica adecuada

Características de Fiabilidad

  • Vida útil calculada (MTTF) en horas x A²
  • Correlación de pruebas a alta temperatura ±10%
  • Factor de vida útil vs temperatura de unión
  • Diseñado para operación a 200°C
  • Factor de MTTF disminuye con el cuadrado de la corriente

Parámetros S (12.5 Vdc, 500 mA)

  • @ 50 MHz: |S11| = 0.93, |S21| = 4.817, |S12| = 0.009, |S22| = 0.86
  • @ 100 MHz: |S11| = 0.94, |S21| = 2.212, |S12| = 0.009, |S22| = 0.88
  • @ 150 MHz: |S11| = 0.95, |S21| = 1.349, |S12| = 0.008, |S22| = 0.90
  • @ 200 MHz: |S11| = 0.95, |S21| = 0.892, |S12| = 0.006, |S22| = 0.92
  • @ 250 MHz: |S11| = 0.96, |S21| = 0.648, |S12| = 0.005, |S22| = 0.93

Parámetros S (continuación)

  • @ 300 MHz: |S11| = 0.97, |S21| = 0.481, |S12| = 0.004, |S22| = 0.95
  • @ 350 MHz: |S11| = 0.97, |S21| = 0.370, |S12| = 0.005, |S22| = 0.95
  • @ 400 MHz: |S11| = 0.98, |S21| = 0.304, |S12| = 0.001, |S22| = 0.97
  • @ 450 MHz: |S11| = 0.98, |S21| = 0.245, |S12| = 0.005, |S22| = 0.97
  • @ 500 MHz: |S11| = 0.98, |S21| = 0.209, |S12| = 0.003, |S22| = 0.97

Características de Diseño de Amplificador

  • Redes de coincidencia similares a transistores bipolares
  • Resistencia térmica mejorada para disipación
  • Diseño para aplicaciones de VHF y UHF
  • Red de polarización con divisor de tensión
  • Compensación de capacitancias parásitas
  • Red de protección de compuerta

Características de Protección

  • Soporta VSWR de 20:1
  • Protección contra sobretemperatura
  • Compensación de corriente de fuga
  • Red de protección externa recomendada
  • Diseño robusto para cargas mal acopladas
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